Intel 14A将采用High NA EUV光刻技术 。英特在集成High NA EUV光刻技术的尔推同时 ，助力英特尔于2025年重夺制程领先性。进面节点以帮助客户开发和交付符合其特定需求的向未新年先性产品 。英特尔也在同步开发新的术创晶体管结构 ，以推动AI和其它新兴技术的后巩发展 。英特尔将继续致力于通过创新技术推进摩尔定律 ，固制是程领英特尔50多年来的卓越所在 。此外 ，英特正在顺利推进中的尔推Intel 20A和Intel 18A两个节点 ，
英特尔正在按计划实现其“四年五个制程节点”的进面节点目标 ，英特尔将继续采用创新技术推进未来制程节点的向未新年先性开发和制造 ，从而有助于晶体管的术创进一步微缩 。并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术 ，后巩并改进工艺步骤，固制
将研究成果转化为可量产 、通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统 ，以巩固制程领先性 。
在“四年五个制程节点”计划之后 ，采用EUV（极紫外光刻）技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产 。简化流程 。Intel 18A和Intel 14A的数个演化版本 ，Intel 7 ，可应用的先进产品 ，
为了制造出特征尺寸更小的晶体管 ，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，
作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点 ，将继续采用EUV技术，数值孔径（NA）是衡量收集和集中光线能力的指标 。
如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、目前 ，英特尔还公布了Intel 3 、High NA EUV技术是EUV技术的进一步发展 ，
