三星在芯片设计和生产过程中已经与SiliconFrontline公司合作了很长时间，星携该公司不希望这个问题再次出现在3纳米工艺上。手美善纳量产进度陷入瓶颈 。米良因此希望通过和SiliconFrontlineTechnology公司合作，率希    三星目前在4纳米和5纳米工艺节点上出现了与产量有关的望赶问题
，以便于在3纳米工艺上赶超台积电。超台据报道，积电三星电子先进制程良率非常低，星携在4纳米和3纳米工艺上情况变得更加糟糕
 。手美善纳是米良由制造过程中设备和金属之间的摩擦造成的 。帮助三星晶圆厂进行前端（front-end）工艺和芯片性能改进。率希该公司现在将在芯片验证过程中使用该公司的望赶技术 。以提高其半导体芯片在生产过程中的超台良率，良率不超过20% ，积电自5纳米制程开始一直存在良率问题 ，星携

    IT之家了解到 ，



    报道中称，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，这家美国公司提供芯片鉴定评估和ESD（静电放电）预防技术。并取得了令人满意的结果。    援引韩媒Naver报道
，三星已经与美国的SiliconFrontlineTechnology公司合作，ESD是造成半导体芯片缺陷的主要原因之一 ，