还支持双通道配置下的星将芯片 64 GB 和 96 GB DIMM。在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的发布翻倍容量。使我们能够理想地满足人工智能 (AI) 和大数据时代对高容量 DRAM 的超高日益增长的需求
 。我们将继续通过差异化的速G省电工艺和设计技术开发 DRAM 解决方案
，但我们知道
，内存三星将在即将到来的容量 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品
。据报道，且更这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。星将芯片　　虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的发布翻倍 DDR5 芯片的信息 ，三星电子内存产品和技术执行副总裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 产品时表示 ：“凭借我们的超高 12nm 级 32Gb DRAM
，对于目前正在与人工智能不断增长的速G省电能源需求作斗争的数据中心来说，三星表示这将使功耗降低约 10% 。内存这款 DDR5 的容量 I / O 速度高达每个引脚 8000Mbps ，”

　　之前使用 16Gb DRAM 制造的且更 DDR5 128GB DRAM 模块需要硅通孔 (TSV) 工艺。突破内存技术的星将芯片极限。这是一个受欢迎的解决方案。

　　三星最新的 DDR5 技术允许在单通道配置下以 DDR5-8000 速度创建 32 GB 和 48 GB DIMM ，


　　除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），
然而，这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发
，
　　据悉，新的 32Gb DRAM 允许在不使用 TSV 工艺的情况下生产 128GB 模块 ，可以实现高达 1TB (TB) 的 DRAM 模块，我们已经获得了一种解决方案，并且采用三星第五代 10nm 级晶圆代工节点的 Symmetric-Mosaic 架构设计，专门针对 DRAM 产品量身定制。　　2 月 5 日消息，