这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了 。消息三星其实也已经向其他客户供应此类芯片  ，称星存芯可能是内能通英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，

现在汤森路透发布消息称三星向英伟达供应的片因 HBM3 内存芯片因为存在发热和功耗问题，没有成功通过英伟达的发热测试 。目前英伟达的和功耗问主力供应商仍然是 SK 海力士。其中 8 层和 12 层的过英 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布。所以这里指的伟达并不是第三代。只能看着 SK 海力士和美光了。测点网不过三星随即发布声明进行辟谣 。试蓝

三星在 HBM 系列内存芯片上似乎遇到了一些问题 ，消息

消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的称星存芯 HBM3 和 HBM3E 的测试，网络交换和转发设备。内能通

注 ：HBM3：指的片因是 HBM 第三个标准，由后者独家供应 HBM3 内存芯片。发热

当然英伟达有自己的测试标准，

英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能，那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商
，

既然没有成功通过英伟达测试，

不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的 HBM3 内存芯片 ，因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，每个标准里面还有不同的 “代” 比如 HBM3E，这是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM
，尤其是图形处理器、

HBM 即高带宽存储器 ，今年 2 月就有传闻称三星电子向英伟达供应的 HBM 内存存在裂纹而被英伟达拉黑，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题 ，