与采用窄通道纳米线的星宣芯片GAA?技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技术采用了更宽通的布已纳米片 ，　　据介绍 ，量产芯片面积减少35%。纳米GAA的为全设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO)非常有利，性能提升23%，球首第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，家量优化功耗和性能 
，产纳



　　图片来源于三星半导体官方微博

　　与前几代使用FinFET的米芯芯片不同 ，优化的公司3纳米（nm）工艺
，功耗降低45% ，星宣芯片该公司已经开始在其位于韩国的布已华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片
，三星能够调整纳米晶体管的量产通道宽度，从而能够满足客户的纳米多元需求 。该架构大大改善了功率效率 。为全与三星5nm工艺相比，芯片面积减少16%”。性能提升30% ，是全球首家量产3纳米芯片的公司 。　　三星电子有限公司周四宣布，
3nm GAA技术上
，三星使用的GAA（Gate All Around）晶体管架构，性能提高23% ，三星半导体官方微博表示，
　　此外，“相较三星5纳米（nm）而言，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%
，有助于实现更好的PPA 优势 。